University of California, Santa Barbara.;
机译:对深亚微米器件中的延迟缺陷和噪声影响进行建模,测试和分析
机译:速度饱和和热载流子效应对深亚微米MOSFET沟道热噪声模型的影响
机译:“具有短通道效应的深亚微米Mosfets的分析通道热噪声模型”的更正[固态电子技术51(7)(2007)1034-1038]
机译:延迟故障测试和深亚微米IC中的缺陷-临界电阻真的意味着什么吗?
机译:深亚微米VLSI电路中的噪声分析和设计方法。
机译:动态和静态模型的多重解和数值分析结合了潜热和深海不连续反照率的延迟能量平衡模型
机译:考虑电源噪声影响的小延迟缺陷的伪功能测试
机译:一维和二维系统以及相关的亚微米和纳米结构器件中的量子输运,噪声和非线性耗散效应。