Virginia Commonwealth University.;
机译:具有InAlN电子阻挡层的III型氮化物可见光发光二极管的峰值量子效率和效率下降
机译:通过加入倒V形量子屏障,效率下垂抑制和光输出功率提高深紫外光发光二极管
机译:增强了来自致密Si量子点的氧氮化硅发光二极管的红色光发射,效率下降
机译:注入电流对InGaN量子阱发光二极管效率下降的影响
机译:III型氮化物发光二极管内部量子效率提高和效率下降问题的设备工程
机译:具有高镁掺杂效率的特别设计的超晶格p型电子阻挡层的几乎无效率下降的基于AlGaN的紫外线发光二极管
机译:通过在宽incan最后的量子井中减少载体密度,通过减少载体密度来朝着C型极性IngaN发光二极管的超低效率下垂