University of Colorado at Boulder.;
机译:原子层沉积钨(ALD W)作为22 nm及以后节点CMOS技术的栅极填充金属的应用
机译:原子层沉积钨(ALD W)在22nm及超出节点CMOS技术的栅极填充金属
机译:适用于薄膜超吸收剂的无光刻,全方向,CMOS兼容的AlCu合金
机译:高达330 MHz的SOI-CMOS兼容硅纳米机电双钳位光束的特征共振特性
机译:用于光子器件的CMOS兼容硅纳米线的生长和光学特性。
机译:采用22 nm节点CMOS技术的SiH4和B2H6前体的ALD W填充金属功能的pMOSFET
机译:CMOS兼容的薄膜ALD钨纳米机电设备