Harvard University.;
机译:原子层沉积钨(ALD W)作为22 nm及以后节点CMOS技术的栅极填充金属的应用
机译:原子层沉积钨(ALD W)在22nm及超出节点CMOS技术的栅极填充金属
机译:用于高级栅极堆叠的La_xZr_(1_x)O_(2-δ)(x = 0.25)高k电介质的原子层沉积
机译:先进原子层沉积技术在金属/高k栅堆叠中V_(TH)和EOT的理解和控制中的应用
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:通过在3D金属支架上通过原子层沉积(ALD)制备的高性能共形层状硫化锡(SnSx)对高性能超级电容器电极的活性增强
机译:CMOS的金属栅极原子层沉积(ALD)
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。