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序言
第一章HBT器件概述
第二章HBT材料参数模型和掺杂对能带参数的影响
第三章突变HBT直流特性分析
第四章突变HBT的Kirk效应与高频特性分析
第五章缓变结HBT器件二维特性模拟分析
第六章HBT器件设计与制备
第七章HBT与光电探测器单片集成
致谢
攻读博士期间已公开发表的论文
周守利;
北京邮电大学;
双极晶体管; 光电探测; 集成光路;
机译:与硅CMOS读出电子器件单片集成的Si-Ge异质结光电探测器的线性阵列
机译:单片集成波导/光电探测器的电子-空穴对生成速率:在单片集成波导/ p-i-n光电二极管建模中的应用
机译:利用离子注入与InP异质结双极晶体管单片集成的高速单行进带载光电二极管
机译:锗光电探测器和硅线波导器件的单片集成
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:基于ZnO的光电探测器器件中观察到的光电流瞬态弛豫的现象学模型
机译:单片集成1.55微米光电探测器和Gaas电子器件,用于高速光通信
机译:量子阱红外光电探测器:器件物理和光耦合
机译:InP / InGaAs单片集成光电探测器和异质结双极晶体管
机译:双异质结双极晶体管,适合与光电器件进行单片集成
机译:用于低光功率水平的光电探测器具有单片集成的跨阻放大器,评估电子器件,光电管之间的连接,平行于芯片法线和/或垂直于芯片平面的电子电路部件
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