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第一章绪论
1.1 OEIC的概念,发展及应用
1.2单片OEIC 光接收器件的研究与发展现状
1.3 InP基PIN-PD+HBT集成光接收机前端
1.4论文的结构安排
参考文献
第二章HBT器件概述
2.1 HBT发展概况
2.2 HBT的原理机制及优越性
2.2.1 BJT的工作原理
2.2.2 HBT的工作原理
2.2.3 HBT的电流组成原理
2.2.4 HBT与场效应晶体管(FET)的比较
2.2.5 HBT的优越性总结
2.3 HBT器件的性能参数
2.3.1截止频率fT和最高振荡频率fmax
2.3.2 电流增益β
2.3.3 开启电压
2.3.4击穿电压
2.3.5击集电极-发射极补偿电压
2.4在HBT器件中所运用的材料体系及材料的主要生长技术
2.4.1 在HBT器件中所运用的材料体系
2.4.2 HBT材料的主要生长技术
2.5制备HBT器件常用工艺
2.5.1 自对准工艺
2.5.2空气桥工艺
2.5.3离子注入工艺
2.5.4聚酰亚胺平坦化工艺
2.5.5表面钝化处理工艺
参考文献
第三章HBT的器件模型及频率性能分析
3.1半导体材料物理基础
3.2 InGaAs与InP材料的迁移率随掺杂浓度的变化关系
3.3 HBT理论模型中相关物理参量的计算
3.4 HBT的频率性能分析
3.4.1 结构参量对HBT频率性能的影响
3.4.2偏置电压对HBT频率性能的影响
3.4.3掺杂浓度对HBT频率性能的影响
3.5 HBT优化设计
参考文献
第四章HBT建模及参数提取
4.1 HBT小信号模型参数提取
4.1.1 正偏反偏法介绍
4.1.2在正偏状态下提取寄生电感、电阻
4.1.3在反偏状态下提取寄生电容
4.1.4去除寄生参数,提取本征参数
4.1.5参数优化
4.2 HBT工业模型参数提取
4.2.1 GP模型结构
4.2.2 SPICE参数提取
4.3本章小结
参考文献
第五章PIN+HBT光接收前端电路设计
5.1 PIN等效电路模型
5.2 HBT用于放大电路的三种组态
5.3前端电路的设计
5.4本章小结
参考文献
第六章InP基HBT的制备与测试
6.1 InP基HBT外延片结构
6.2 InP基HBT的制备
6.2.1 版图设计
6.2.2 InP基HBT的实验制备工艺流程
6.3 InP基HBT的实验测试
6.3.1 测试设备
6.3.2测试结果
6.4本章小结
参考文献
附录
致谢
攻读硕士学位期间发表的学术论文