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致谢
1 引言
1.1 研究背景
1.2 光敏场效应晶体管的发展概况和应用前景
1.2.1 光敏场效应晶体管的发展概况
1.2.2 光敏场效应晶体管的应用前景
1.3 光敏场效应晶体管中存在的问题和发展趋势
1.4 本文主要的工作
2 有机光敏场效应晶体管的工作机理、制作及表征
2.1 有机光敏场效应晶体管的结构和工作原理
2.1.1 传统构型PhotOFETs及其工作原理
2.1.2 垂直构型PhotOFETs及其工作原理
2.2 有机光敏场效应晶体管的材料
2.2.1 有机光敏半导体层
2.2.2 栅绝缘层
2.2.3 电极
2.3 有机光敏场效应晶体管的制备技术及性能测试
2.3.1 器件的制备
2.3.2 器件性能的测试
3 LiF介电层的垂直PhotOFETs的研究
3.1 并五苯薄膜的制备与光敏特性测试
3.1.1 并五苯薄膜的制备与表征
3.1.2 并五苯薄膜的光敏特性测试
3.2 LiF为介电层的垂直PhotOFETs
3.2.1 LiF介电层的研究
3.2.2 LiF为介电层的PhotOFETs器件的性能
3.2.3 V2O5修饰源极对器件性能的影响
3.3 小结
4 有机介电层的垂直PhotOFETs的研究
4.1 PVA为绝缘层器件的性能研究
4.1.1 PVA薄膜的制备
4.1.2 PVA为绝缘层的器件的性能研究
4.1.3 PVA/PMMA双绝缘层的垂直PhotOFETs
4.2 用CYEPL为绝缘层制作垂直PhotOFETs
4.3 小结
5 结论
参考文献
作者简历