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致谢
序
1 引言
1.1 自旋电子学的概念
1.2 稀磁半导体的概念与分类
1.3 稀磁半导体的研究概况
1.4 稀磁半导体磁性来源和机理
1.5 稀磁半导体的应用前景
1.6 ZnO基稀磁半导体的性质及研究进展
1.7 本论文的选题依据和研究意义
1.8 本论文的主要工作
2 制备方法与测试手段
2.1 制备系统简介
2.2 本工作用到的主要材料表征手段
3 过渡族金属掺杂ZnO薄膜的制备与铁磁特性的探索
3.1 实验过程
3.2 不同V掺杂浓度对ZnO:V薄膜性能的影响
3.3 不同Mn掺杂浓度对ZnO:Mn薄膜性能的影响
3.4 不同Co掺杂浓度对ZnO:Co薄膜性能的影响
3.5 不同Ni掺杂浓度对ZnO:Ni薄膜性能的影响
3.6 不同Fe掺杂浓度对ZnO:Fe薄膜性能的影响
3.7 比较
3.8 本章小结
4 ZnO:V薄膜的制备及其铁磁特性的研究
4.1 不同制备条件对薄膜性能的影响
4.2 退火处理对薄膜性能的影响
4.3 在硅衬底上制备的不同V掺杂浓度的ZnO薄膜特性研究
4.4 V掺杂对ZnO薄膜光学特性的影响
4.5 薄膜中磁性及其来源
4.6 本章小结
5 ZnO:Mn第一性原理研究
5.1 理论模型和计算方法
5.2 结果分析
5.3 本章小结
6 结论
参考文献
作者简历
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