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方东明; 周勇; 赵小林;
上海交通大学,微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;
ZnO薄膜; 掺杂; 电子束蒸发; 结构; 磁性能;
机译:铁磁过渡金属掺杂ZnO薄膜的室温磁光
机译:高效过渡金属掺杂ZnO薄膜晶体管的可调电性能
机译:过渡金属掺杂的MoS_2纳米晶体的磁和电催化性能
机译:过渡金属掺杂二元和三元Ⅱ-Ⅵ族半导体的材料合成和红外光学性能
机译:过渡金属掺杂的MoS2纳米晶体的磁催化性能
机译:溶胶-凝胶法和磁控反应溅射制备Eu掺杂ZnO薄膜的结构性能与能量转移的相关性
机译:铁磁过渡金属掺杂的室温磁光学 ZnO薄膜
机译:4B族和5B族过渡金属单碳化物的机械性能
机译:磁控共溅射制备金属掺杂ZnO薄膜的方法
机译:包含多过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料
机译:具有多种过渡金属掺杂的i型包合物-晶体结构的热电材料。
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