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过渡族金属掺杂ZnO薄膜的晶体结构和磁性能

         

摘要

采用电子束蒸发法制备了过渡族金属(Fe、Co、Cu)掺杂ZnO薄膜.分析和研究了衬底温度以及Cu掺杂量对薄膜相结构的影响,获得沿c轴高度择尤取向的高质量ZnO薄膜.采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的显微结构,利用所得的图象信息对薄膜进行分析,发现400℃的衬底温度对硅衬底薄膜是合适的,与XRD分析相吻合.通过对薄膜磁性能的分析和研究,得出一些有意义的结果:适量Fe、Co离子掺杂的ZnO薄膜,在室温下具有铁磁性,而在此基础上掺入少量的Cu离子能改善薄膜的磁性能.

著录项

  • 来源
    《磁性材料及器件》 |2006年第1期|19-22,35|共5页
  • 作者

    方东明; 周勇; 赵小林;

  • 作者单位

    上海交通大学,微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;

    上海交通大学,微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;

    上海交通大学,微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 磁性质;
  • 关键词

    ZnO薄膜; 掺杂; 电子束蒸发; 结构; 磁性能;

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