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第1章绪论
第2章PIN探测器简介
第3章器件结构的优化设计研究
第4章器件制作及单项工艺研究
结论
参考文献
攻读硕士期间发表的文章
致谢
杨集;
北京工业大学;
高响应度; 光电探测器; InGaAs PIN探测器;
机译:具有高响应度和高饱和功率的InGaAs–InP光电二极管
机译:InGaAs三角势垒光电二极管,用于高响应度检测近红外光
机译:InGaAs / InP雪崩光电二极管中的超低暗电流,高响应度和薄倍增区
机译:集成在Si波导上的超小型InGaAs MSM光电探测器的高响应度和低暗电流操作
机译:硅纳米线光电晶体管:设计,制造和表征高响应度的宽带光电探测器。
机译:基于工程光天线的碳纳米管远红外探测器具有高响应度和卓越的极化选择性
机译:高电场高湿环境下AlGaAs / InGaAs PHEMT的降解机理及改进研究
机译:高载流子迁移率InGaas化合物半导体和GaN的高电介质 - 生长,界面结构研究和表面费米能级解旋
机译:基于场效应的光电探测器阵列响应度控制
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
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