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第1章绪论
1.1半导体激光器的发展历史
1.2应变量子阱激光器的发展历程
1.3半导体激光器的应用
1.4大功率半导体激光器阵列的应用及国内外发展现状趋势
1.4.1大功率半导体激光器阵列概述
1.4.2大功率半导体激光器阵列的应用
1.4.3大功率半导体激光器阵列的国内外发展现状
1.4.4大功率半导体激光器阵列的发展趋势
1.5本论文研究的主要内容及意义
第2章大功率半导体激光器阵列理论
2.1应变效应分析
2.1.1晶格失配与应变
2.1.2应变对能带结构的影响
2.1.3临界厚度
2.2 InGaAs应变量子阱激光器特性
2.2.1增益特性
2.2.2阈值电流特性
2.2.3偏振选择性
2.2.4温度特性
2.2.5温度特性
2.3大功率半导体激光器阵列耦合模理论
2.4本章小结
第3章980nm大功率半导体激光器线阵列结构设计
3.1单量子阱结构激光器结构设计及外延生长
3.1.1单量子阱结构组分和势阱宽度的确定
3.2半导体激光器线阵列的结构设计
3.3半导体激光器线阵列的隔离槽深度的设计
3.3.1电流扩展理论分析
3.3.2隔离槽变深度实验
3.4本章小结
第4章大功率半导体激光器线阵列工艺设计
4.1器件制备的工艺流程
4.2材料制备工艺——MOCVD简介
4.3芯片加工工艺——主要工艺介绍
4.3.1光刻
4.3.2溅射
4.3.3 PECVD淀积
4.3.4 ICP干法刻蚀
4.4本章小结
第5章大功率半导体激光器线阵列的封装研究
5.1微通道热沉简介
5.1.1微通道热沉设计原则及分类
5.1.2热沉材料的选择
5.1.3冷却液的选取
5.1.4微通道热沉的优化设计
5.2微通道热沉的相关理论
5.2.1微通道热沉的热模型分析
5.2.2微通道热沉的热阻
5.3半导体激光器线阵列封装实验
5.4本章小结
结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的学术论文
致谢