真空室内壁镀TiZrV吸气剂薄膜的工艺及薄膜相关性能的研究

摘要

为了减少残余气体散射所导致的束流损失，维持较长的束流寿命，加速器储存环真空室中需要清洁的超高真空环境。储存环中超高真空的获得和维持主要是通过离散分布的真空泵（如溅射离子泵和钛升华泵）来实现，但同步辐射光和高能粒子轰击真空室内壁引起表面放气，造成较高的动态气载，同时由于真空室流导的限制，气压在真空室内部的分布存在一定的纵向梯度，即真空泵附近真空较好，距真空泵较远处真空较差。在真空室内壁镀上吸气剂薄膜可以实现分布式抽气，有效提高真空度并降低纵向梯度，因其优异的真空性能已在加速器领域得到应用。
　　 国内对加速器真空室内壁镀非蒸散型吸气剂（NEG）薄膜的研究较少，开展也较晚。基于NEG薄膜独特的真空特性以及在加速器领域良好的应用前景，我们开展了对管道真空室的内壁进行镀TiZrV薄膜的工艺以及薄膜相关性能的研究，本论文即为对本工作的介绍，其内容如下。
　　 根据细长管道镀膜的特点，设计了用于对加速器管道内壁镀TiZrV薄膜的磁控溅射镀膜系统。研究了镀膜系统的放电特性，通过调整镀膜参数可以获得满足要求的薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线光电子能谱和X射线衍射仪等对TiZrV薄膜进行了相关的分析测试。此外，对TiZrV薄膜的相关真空性能进行了研究，包括二次电子产额（SEY）、光致解吸产额（PSD）和吸气性能。
　　 对于正电子、质子和重离子加速器，真空室内壁较高的SEY 易导致电子云效应的形成，严重影响束流品质和加速器的正常运行。国外相关研究表明TiZrV具有较低的SEY，可将其用于电子云的抑制，因此对TiZrV薄膜的二次电子产额进行了测量。测试结果表明，对TiZrV薄膜在200℃下加热2小时后其SEY有所下降，峰值由2.03 降到1.55，此值高于国外的相关测量结果，这可能是加热和电子轰击过程中样品和样品架的表面放气对薄膜表面的污染造成的。
　　 为检验镀TiZrV 膜在降低材料PSD 方面的效果，在合肥光源储存环机器研究光束线的PSD 实验站上，对镀膜前后不锈钢管道的PSD 进行了测试。测试结果表明，不锈钢和TiZrV薄膜对各气体的PSD 产额初始值均在10-4～10-3量级，在200℃加热24小时后，则分别下降到10-5～10-4和10-6～10-5量级。镀TiZrV薄膜可以降低不锈钢的PSD 效应，这对于加速器的稳定运行是非常有利的。
　　 吸气能力是衡量吸气剂性能的一个重要指标，因此对TiZrV薄膜的吸气性能进行了研究。选取一般超高真空系统中的主要残余气体H2和CO 作为测试气体，在不同温度和时间下对镀膜管道进行加热。测量结果表明，TiZrV薄膜对CO和H2 有较好的吸气效果，在200℃下加热24小时后对其抽速分别为0.23 L?s-1?cm-2和0.02 L?s-1?cm-2，吸气容量分别为6.8×10-5 Pa?L?cm-2和6.6×10-2 Pa?L?cm-2。相同激活条件下TiZrV 对CO的抽速比H2 高一个量级，吸气容量则较之低两个量级。
　　 吸气剂的激活效果与加热温度和时间密切相关，随着加热温度的提高和时间的延长而增强，在实际应用中可通过适当提高激活温度和延长激活时间以恢复最佳的吸气能力。
　　 通过本项工作，基本掌握了直流磁控溅射法在加速器管道内壁镀TiZrV 吸气剂薄膜的工艺，积累了一定的工程经验，并对TiZrV薄膜的相关性能有了系统的了解。

目录

文摘

英文文摘

声明

第一章绪论

第二章相关理论和介绍

第三章真空室内壁镀TiZrV薄膜及其结果分析

第四章TiZrV的二次电子产额研究

第五章TiZrV的光致解吸研究

第六章TiZrV薄膜的吸气性能研究

第七章总结与展望

参考文献

致谢

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