声明
摘要
第1章 绪论
1.1 金属绝缘体转变研究概述
1.1.1 相变简介
1.1.2 金属绝缘体转变简介及研究现状
1.2 正电子湮没技术简介
1.2.1 正电子湮没技术发展历史
1.2.2 正电子湮没谱学基本原理
1.2.3 正电子湮没谱学实验技术
1.2.4 利用正电于湮没技术研究材料的优势
1.3 理论计算方法简介
1.3.1 第一性原理计算方法简介
1.3.2 电荷态缺陷形成能计算
1.3.3 中性原子叠加法计算正电子寿命简介
1.4 本论文的工作简介
参考文献
第2章 Ni1-xS材料金属绝缘体相变机制的研究
2.1 NiS金属绝缘体相变研究概述
2.2 实验部分
2.2.1 样品的制备
2.2.2 晶体结构与电阻测试
2.2.3 正电子湮没测量
2.2.4 正电子寿命与第一性原理计算
2.3 结果与讨论
2.4 本章小结
参考文献
第3章 Cu2-xSe化合物结构相变及热电性质的研究
3.1 热电材料概述
3.1.1 热电材料的研究背景及意义
3.1.2 影响材料热电性能的因素
3.1.3 提高材料热电性能的途径
3.1.4 Cu2Se热电性能的研究进展及选题意义
3.2 实验部分
3.2.1 Cu2-xSe多晶的制备
3.2.2 物相分析手段
3.2.3 热电性质测试
3.2.4 正电子湮没技术测试
3.2.5 第一性原理计算
3.3 结果与讨论
3.4 本章小节
参考文献
第4章 缺陷对VO2薄膜金属绝缘体转变影响的研究
4.1 VO2金属绝缘体转变研究概述
4.1.1 VO2金属绝缘体转变的特点
4.1.2 VO2金属绝缘体转变机制的研究
4.1.3 VO2薄膜的应用前景
4.1.4 缺陷对VO2薄膜金属绝缘体转变的影响研究综述
4.2 实验部分
4.2.1 样品制备
4.2.2 物相表征及性能测试
4.2.3 正电子湮没测量
4.2.4 第一性原理计算缺陷形成能
4.3 结果与讨论
4.4 本章小结
参考文献
第5章 总结与展望
5.1 总结
5.2 创新之处
5.3 展望
致谢
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果