基于三维电场调制的浅沟槽LDMOS器件研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 LDMOS器件结构的发展

1.2浅沟槽LDMOS器件的优势及应用

1.3浅沟槽LDMOS器件及其可靠性研究现状

1.4本论文的主要工作及创新点

1.5本论文的组织结构

第二章 浅沟槽LDMOS器件模型研究

2.1浅沟槽LDMOS器件结构及原理

2.2浅沟槽LDMOS器件二维电场模型

2.3浅沟槽LDMOS器件三维电场模型

2.4基于三维电场调制的浅沟槽LDMOS器件耐压模型

2.5本章小结

第三章 阶梯形浅沟槽LDMOS器件研究

3.1阶梯形浅沟槽LDMOS器件结构及原理

3.2结构参数对器件电学特性的影响

3.3工艺参数对器件电学特性的影响

3.4阶梯形STI-LDMOS器件的制备及电学特性

3.5本章小结

第四章 H形浅沟槽LDMOS器件研究

4.1 H形浅沟槽LDMOS器件结构及原理

4.2结构参数对器件电学特性的影响

4.3工艺参数对器件电学特性的影响

4.4 H形STI-LDMOS器件制备及电学特性

4.5本章小结

第五章 新型浅沟槽LDMOS器件可靠性研究

5.1新型STI-LDMOS器件HCI研究

5.2新型STI-LDMOS器件ESD研究

5.3新型STI-LDMOS器件E-SOA研究

5.4本章小结

第六章 总结与展望

6.1总结

6.2展望

致谢

参考文献

博士期间取得成果