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基于共享Buffer的LIGBT和PLDMOS器件研究

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介绍了基于共享Buffer技术的SOI(绝缘体上硅)LIGBT和PLDMOS,相对于传统工艺可以节约2层光刻板和2步工艺流程.主要通过研究在器件漏区的缓冲层特性,对器件特性影响明显.通过实验和仿真结果对比,共享Buffer技术的器件通过工艺和版图优化后能达到原有器件的表现性能.

著录项

来源
《电子与封装》 |2018年第2期|46-48|共3页
作者
张恩阳; 黄勇; 孟令锋; 代高强;
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作者单位

四川长虹电器股份有限公司,四川绵阳 621000;

四川长虹电器股份有限公司,四川绵阳 621000;

四川长虹电器股份有限公司,四川绵阳 621000;

四川长虹电器股份有限公司,四川绵阳 621000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备 ;
关键词
绝缘体上硅 ; LIGBT; PLDMOS; 共享Buffer;

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