磁控溅射制备Ga2O3薄膜及其紫外光电特性的研究

目录

摘要

1绪论

1．1引言

1．3 β-Ga2O3材料的应用及发展现状

1．3．1深紫外透明导电薄膜

1．3．2气敏探测器

1．3．3大功率大半导体

1．3．4紫外探测器

1．4本文主要研究内容及章节安排

2氧化镓薄膜的制备及测试

2．1．1脉冲激光沉积(PLD)

2．1．2分子柬外延技术(MBE)

2．1．3化学气相沉积(CVD)

2．1．4热蒸发

2．1．5磁控溅射

2．2薄膜的光学和结构测试

2．2．1分光光度计

2．2．2椭偏仪

2．2．3 X-射线衍射（XRD）

2．2．4X-射线光电子能谱(XPS)

2．2．5拉曼散射能谱(Raman spectra)

2．2．6扫描电子显微镜(SEM)

2．3本章小结

3氧化镓薄膜的结构和光学特性

3．1实验准备

3．2．1 XPS分析

3．2．2 X-射线衍射分析(XRD)

3．2．3拉曼散射光谱分析(Raman spectra)

3．2．5扫描电子显微镜测试分析(SEM)

3．3 β-Ga2O3薄膜的光学特性

3．3．2不同氩氧比对β-Ga2O3薄膜折射率的影响

3．3．3退火因素对β-Ga2O3薄膜透射谱的影响

3．4退火温度对β-Ga2O3薄膜的电学特性影响

3．5小结

4 β-Ga2O3薄膜紫外探测器的制备及性能测试

4．1制作β-Ga2O3薄膜MSM日盲紫外探测器

4．2评价紫外探测器的主要参数

4．2．1光暗电流比Ilight／Idsrk

4．2．2响应时间

4．2．3光谱响应度

4．3．2退火温度对Ga2O3薄膜光电性能的影响

4．3．3退火时间对Ga2O3薄膜光电性能的影响

4．3．4不同电压对Ga2O3薄膜光电性能的影响

4．3．5 β-Ga2O3薄膜厚度对Ga2O3薄膜光电性能的影响

4．3．5氧化硅基底对探测器暗电流的抑制作用

4．4小结

5结论

5．1结论

5．2展望

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文及成果

致谢

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