首页> 中文学位 >28nm工艺下1GHz抗辐照锁相环电路设计与验证

【6h】

28nm工艺下1GHz抗辐照锁相环电路设计与验证

代理获取

页面导航

目录
著录项
相似文献
相关主题

目录

1.2 国内外研究现状

2.3.2 电荷泵工作原理

2.4.1 锁相环的相位噪声

展开▼

著录项

作者
皮辉斌;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学;

展开▼
授予单位西安电子科技大学;
学科软件工程
授予学位硕士
导师姓名张进成,梁斌;
年度 2020
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN4V47;
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 新思科技IC Validator实体验证工具通过联华电子28nm工艺验证 [J] . . 中国集成电路 . 2014,第6期
2. 基于0.18 CMOS工艺6blt 1GHz全并行型模数转换集成电路设计 [J] . 沈志远 ,孟桥 . 中国集成电路 . 2005,第012期
3. 基于40 nm CMOS工艺可快速锁定的宽带锁相环电路设计 [J] . 谭茗 ,唐立军 ,黄水龙 . 微电子学与计算机 . 2014,第1期
4. 一种基于0.25μm CMOS工艺的锁相环电路设计 [J] . 敖明盛 . 中国集成电路 . 2007,第002期
5. 基于抗辐照技术的DDS电路设计与实现 [J] . 杨阳 ,陶建中 ,万书芹 . 电子与封装 . 2019,第008期
6. 一种基于0.25um CMOS工艺的锁相环电路设计 [C] . 敖明盛 . 第九届北京学术交流月集成电路设计及其应用国际研讨会 . 2006
7. 基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计 [A] . 关立军 . 2017

代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号