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【24h】

2GHz CPUと低電力1GHz CPUを有する28nm High-k/MGプロセスを用いたヘテロジーニアス型マルチコアモバイルアプリケーションプロセッサ

机译:使用28nm High-k / MG工艺,2GHz CPU和低功耗1GHz CPU的异构多核移动应用处理器

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摘要

本誌は我々のヘテロジーニアスクアッド/オクターコア構成のモバイルアプリケーションプロセッサ(AP)に搭載したパワーマネージメント技術と低電力技術を提案する。このAPは高性能2GHzコアと電力効率の良い1GHzコアを搭載しており、オクタコア構成時のピーク性能は35,600DMIPSになる。デザインハイライトは以下の通りである。1)高性能CPUへの専用PLLとH-treeクロックの適用により2GHz動作と動作電力削減を両立した。2)28nm High-k/MGプロセスの低リークSRAMセルを使用し、SRAMモジュールの周辺回路をマルチスレッショルド電圧(V_(th)やマルチゲート長(Lg)のトランジスタを駆使して最適化しL1キャッシュのリーク電流を24%削減した。3)プロセスや電圧ばらつきをオンチッププロセスセンサーやチップ内電源のセンスとその補正により低減した。動作電力とリーク電力をそれぞれ20%と29%削減し、さらに最小動作電圧(V_(min))を40mV削減した。4)オンチップ遅延測定センサーを用いた改良版クロック制御機構を用いて悲観的な動的電圧ドロップ(AC-Vdrop)を抑制した。5)ヘテロジーニアスCPUアーキテクチャにより温度制限による動作制限期間中でも高い平均性能を保つ。
机译:该杂志提出了采用异构四核/八核配置的移动应用处理器(AP)中安装的电源管理技术和低功耗技术。该AP配备了高性能2GHz内核和高能效1GHz内核,八核配置的最高性能为35,600 DMIPS。设计重点如下。 1)通过将专用的PLL和H树时钟应用于高性能CPU,既可以实现2GHz的工作,又可以降低工作功率。 2)使用28nm High-k / MG工艺的低泄漏SRAM单元,通过使用L1高速缓存的多阈值电压(V_(th)和多栅极长度(Lg))的晶体管来优化SRAM模块的外围电路。漏电流减少了24%。3)借助片上过程传感器和片内电源以及其校正,减少了工艺和电压变化。工作功率和泄漏功率分别降低了20%和29%,最小工作电压(V_(min))降低了40 mV。 4)通过使用带有片上延迟测量传感器的改进的时钟控制机制,抑制了悲观的动态电压降(AC-Vdrop)。 5)即使由于温度限制而在操作限制期间,异构CPU架构也可以保持较高的平均性能。

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