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3.4.3 ADC芯片热成像测试
4.1.5 InP缓冲层
杨施政;
西安电子科技大学;
机译:使用BCB键合的片上光学电路在Si衬底上的InP薄膜无源器件的特性
机译:INP / SI板上INP电路板激光和激光的亲水直接浆料发现特性
机译:使用InP器件和CMOS器件的毫米波/太赫兹波电路技术
机译:用于电路仿真的SiC功率器件的电热建模
机译:半导体器件和集成电路的电热建模。
机译:硅量子点基发光器件的纳米图案化硅结构抗反射特性的仿真与实验研究
机译:用于InP基HBT高功能性的InGaAsSb基材料的MOCVD生长和器件特性的研究
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:器件零修正拥有器件次要分量的磁场,而中央端修正与器件一起显示的磁场和异质特性图,异质特性图根据器件和SIMD梯度来计算,而异质特性图决定了这三个强度的三维波动
机译:晶体特性Si层形成基板的制造方法,晶体特性Si层形成基板和晶体特性Si器件
机译:用于INP量子点的前体P(SIME2-TERT-BU)3,其制备方法,包含P(SIME2-TERT-BU)3的INP量子点及其制备方法
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