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符号对照表
3.3 加电状态下AlGaN/GaN HEMT器件的γ辐照实验
曹延琴;
西安电子科技大学;
机译:SiN钝化的GaN基HEMT器件中的应变效应
机译:GaN基蓝色LED中的中子辐照效应
机译:用于高频应用的双异质结构AIGaN / GaN DG-HEMT器件的DC和RF特性的二维仿真研究
机译:GaN基MIS-HEMT器件的击穿研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:无需预激活p型GaN的GaN基发光二极管的制造和表征
机译:关于常关GaN HEmT器件中p-GaN栅极的物理操作和优化
机译:GaN /衬底热边界电阻对HEmT器件的影响
机译:GaN基HEMT器件
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
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