有源区生长工艺对Si衬底GaN基绿光LED光电性能影响的研究

目录

声明

第1章 绪论

1.1 Ⅲ族氮化物概述

1.2 Ⅲ族氮化物材料的晶体结构及极化特性

1.2.1 Ⅲ族氮化物材料的晶体结构

1.2.2 Ⅲ族氮化物材料的极化特性

1.3 GaN基LED的研究

1.3.1 GaN基LED的研究进展

1.3.2 Si衬底GaN基LED技术

1.4 GaN基LED的效率与提升途径

1.4.1 LED的量子效率

1.4.2 提升GaN基LED效率的途径

1.5 本论文结构安排

第2章 Si衬底GaN基LED的外延生长及表征方法

2.1 Si衬底GaN基LED的外延生长

2.2 Si衬底GaN基LED的表征方法

2.2.1 二次离子质谱仪（SIMS）

2.2.2 儎分辨率X射线衍射（HRXRD）

2.2.3 荧光显微镜（FLM）

2.2.5 原子力显微镜（AFM）

2.2.6 电致发光（EL）

第3章量子垒生长速率对GaN基绿光LED光电性能的影响

3.1 引言

3.2 实验

3.3 结果与讨论

3.4 本章小结

第4章 准备层掺硅对GaN基绿光LED光电性能的影响

4.1 引言

4.2 实验

4.3 结果与讨论

4.4 本章小结

第5章 准备层厚度对GaN基绿光LED光电性能的影响

5.1 引言

5.2 实验

5.3 结果与讨论

5.4 本章小结

第6章 总结

致 谢

参考文献

攻读学位期间的研究成果