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白晋轩;
北京交通大学;
机译:尺寸对单层横向异质结WS2-MoS2纳米带的磁和电子性能的影响
机译:大气压化学气相沉积法连续生长六方石墨烯和氮化硼面内异质结构
机译:使用梯度生长策略通过金属有机化学气相沉积法生长的极性InAl(Ga)N / Al(Ga)N / GaN异质结的电荷和迁移率增强
机译:在通过超高真空化学气相沉积法生长的Si / SiGe异质结双极晶体管的本征隔离层中
机译:通过光子辅助的电子回旋共振化学气相沉积法生长的非晶和微晶硅薄膜,用于异质结太阳能电池和薄膜晶体管。
机译:微波等离子体化学气相沉积法在4H-SiC上异质外延金刚石生长
机译:金属有机化学气相沉积法生长的In1-x Gax Asy P1-y / InP异质结的椭圆偏振光谱研究
机译:异质结(磷化镓硅异质结的生长)研究。第一部分
机译:制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译:金属有机化学气相沉积法,高质量N面GaN,InN和AlN及其合金的异质外延生长方法
机译:有机金属化学气相沉积法在高质量N面GaN,InT和AlN上异质生长的方法及其合金
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