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双面散热IGBT模块封装结构设计与互连工艺研究

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第1章绪论

1.1.1电力电子器件封装技术发展

1.1.2芯片级互连技术

1.2纳米银焊膏

1.2.1纳米银焊膏低温烧结工艺

1.2.2纳米银焊膏在功率模块封装的应用

1.3采用纳米银焊膏的功率模块可靠性研究

1.4本文的研究意义和内容

1.4.1研究意义

1.4.2研究内容

第2章试验材料及设备

2.1 试验材料

2.1.1连接材料

2.1.2主要封装材料

2.2试验设备

2.2.1真空回流炉

2.2.2高精度贴片机

2.2.3超声键合机

2.2.4超声压焊机

2.2.5超高真空磁控镀膜设备

2.3测试方法

2.3.1 电性能表征

2.3.2热特性表征

2.4 双面散热模块老化方法

第3章双面散热IGBT模块设计与制作

3.1 引言

3.2双面散热IGBT模块设计

3.2.1双面散热IGBT模块封装结构设计和电路拓扑设计

3.2.2 双面散热IGBT模块热设计

3.2.3双面散热IGBT

3.2.4双面散热IGBT

3.3双面散热IGBT

3.3.1封装材料选取

3.3.2封装流程

3.4本章小结

第4章双面散热IGBT模块性能及可靠性评价

4.1 引言

4.2电性能表征

4.2.1静态I-V特性

4.2.2动态开关特性

4.3双面散热IGBT模块热阻

4.4高低温冲击老化试验

4.5本章小结

第5章结论与展望

5.1结论

5.2展望

参考文献

发表论文和参加科研情况说明

致谢

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著录项

  • 作者

    刘文;

  • 作者单位

    天津大学;

  • 授予单位 天津大学;
  • 学科 材料工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 陆国权,王晓宝;
  • 年度 2018
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TP2TN3;
  • 关键词

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