声明
1 绪论
1.1选题背景
1.2国内外研究现状
1.3 本文研究内容及结构
2 40nm MOSFET高频噪声的物理模型表征
2.1 MOSFET高频过剩噪声机理的简介
2.2 40nm MOSFET双端口等效噪声电流源模型
2.2.1漏极电流噪声
2.2.2栅极电流噪声
2.2.3栅漏互相关电流噪声
2.3 40nm MOSFET小信号等效噪声模型
2.4 原始实验数据与验证
2.4.1原始数据的获取
2.4.2基于S参数的小信号等效元件参数的提取
2.4.3高频噪声物理模型的原始数据
2.5本章小结
3 40nm MOSFET高频噪声简洁模型的表征
3.1 简洁模型简介
3.2 简洁模型的建立
3.3.1初始模型的精度对比
3.3.2噪声功率谱密度的转换矩阵
3.3.3简洁模型的推导
3.4简洁模型的Verilog-A语言的实现
3.4 仿真与验证
3.5 本章小结
4 面向工程应用的反型系数表征
4.1 反型系数的简介
4.2 基于反型系数的四噪声参数的表征
4.3 反型系数表征方式的验证
4.4 本章小结
5 结论与展望
致谢
参考文献
附录
攻读学位期间取得的研究成果
西南科技大学;