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MOSFET array enables design of ultra-low supply voltages

机译:MOSFET阵列可实现超低电源电压的设计

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摘要

The ALD210800 Precision N-channel MOSFET arrays from Advanced Linear Devices features zero-threshold voltage that establishes a new industry benchmark for forward transconductance and output conductance. Designed with the company's EPAD CMOS technology, the arrays allow circuit designers to build ultra-low supply voltages that were never before possible. The precision parameters of the device enable <100-mV min. operating voltage, < l-nA min. operating current, and < l-nW min. operating power. The device enables independent control of each device within a quad package. This innovative capability provides circuit designers with the capability to design next-generation energy harvesting systems and low-power mobile devices.
机译:Advanced Linear Devices的ALD210800精密N沟道MOSFET阵列具有零阈值电压,为正向跨导和输出电导建立了新的行业基准。这些阵列采用该公司的EPAD CMOS技术进行设计,使电路设计人员能够构建前所未有的超低电源电压。器件的精度参数允许最小<100 mV。工作电压,

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  • 来源
    《Electronic products》 |2014年第8期|24-24|共1页
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  • 正文语种 eng
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