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【24h】

Systematic design approach of MOSFET based low noise amplifiers for wideband RF receivers

机译:用于宽带射频接收器的基于MOSFET的低噪声放大器的系统设计方法

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摘要

For MOSFET based RF and UWB receiver circuits a systematic design approach is presented. The procedure yields all possible circuit topologies with up to three voltage controlled current sources (VCCS) which are chosen to describe the first order small signal behaviour of MOSFETs. Completely ignoring design heuristics and experience, circuit topologies and their twoport behaviour are determined in four basic steps: generation of non-isomorphic graphs, determining those circuit topologies with useful signal transfer function, symbolic analysis of the generated circuits and topology selection with a “relational database management system” (RDBMS). After formulating requirements for a wideband low noise amplifier (LNA), the RDBMS yields two new topologies with two VCCS and 625 mostly new topologies with three VCCS. Three examples using three VCCS are chosen and presented.
机译:对于基于MOSFET的RF和UWB接收器电路,提出了一种系统的设计方法。该程序可产生多达三个电压控制电流源(VCCS)的所有可能的电路拓扑,这些电压源用于描述MOSFET的一阶小信号行为。完全忽略设计试探法和经验,电路拓扑及其双向端口行为是通过四个基本步骤确定的:生成非同构图,确定具有有用信号传递函数的电路拓扑,对生成的电路进行符号分析以及使用“关系式”进行拓扑选择数据库管理系统”(RDBMS)。在提出了宽带低噪声放大器(LNA)的要求之后,RDBMS产生了两个带有两个VCCS的新拓扑,以及625个大部分带有三个VCCS的新拓扑。选择并展示了使用三个VCCS的三个示例。

著录项

  • 来源
    《 》||P.455-458|共4页
  • 会议地点
  • 作者

    Schmitz Jurgen;

  • 作者单位
  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类 工业技术 ;
  • 关键词

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