动态过程中GaN HEMT器件击穿特性研究

目录

声明

第一章 绪 论

1.1 研究背景

1.2 国内外研究现状

1.3 本论文的研究内容及安排

第二章 GaN HEMTs器件物理基础及击穿机制分析

2.1 GaN HEMTs器件物理基础

2.2 GaN HEMTs击穿机制讨论

2.3 GaN HEMTs开关特性分析

2.4 本章小结

第三章 动态过程中P-GaN Gate HEMTs的击穿特性研究

3.1 动态过程中P-(Al)GaN增强型HEMTs可靠性的研究进展

3.2 动态过程中P-GaN HEMTs的提前击穿

3.3 空穴注入诱使沟道电子势垒降低效应

3.4 本章小结

第四章 动态过程中UTB-GaN MOS-HEMTs击穿特性研究

4.1 超薄势垒AlGaN/GaN异质结GaN MOS-HEMTs的研制及测试

4.2 动态漏极偏置下UTB-GaN MOS-HEMTs击穿特性研究

4.3 章节小结

第五章 总结与展望

5.1 全文总结

5.2 后续工作展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果