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第一章前言
§1.1射频CMOS集成电路发展概述
§1.1.1RF电路中的CMOS工艺
§1.1.2RF收发机的结构和部件
§1.1.3RF设计中的CAD技术
§1.2CMOSRF电路中片上螺旋电感
§1.3振荡器的工作原理
§1.3.1概述
§1.3.2 压控振荡器(VCO)的原理。
§1.3.3VCO环路设计
§1.4本文的研究内容
参考文献
第二章硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化
§2.1引言
§2.2SIOS物理模型的参数分析
§2.2.1串联电感Ls
§2.2.2串联电阻Rs
§2.2.3串联电容Cs
§2.2.4衬底寄生参数
§2.3计算结果
§2.4优化设计
§2.4.1数值优化
§2.4.2解析优化
§2.5结论
参考文献
第三章振荡器的相位噪声理论
§3.1引言
§3.2振荡器的相位噪声理论
§3.2.1相位噪声的Leeson-Cutler模型
§3.2.2 冲击灵敏度函数(ISF)。
§3.2.3减小相位噪声的几种方法
§3.3举例说明减小相位噪声的方法在VCO设计中的作用
§3.4结论
参考文献
第四章VCO的设计与实现
§4.1设计概述
§4.2VCO的设计
§4.2.1电路结构
§4.2.2MOS管SPICE模型的选取
§4.2.3可变电容的设计
§4.2.4谐振回路的设计
§4.2.5负阻电路的设计
§4.2.6电路仿真结果
§4.3VCO的版图实现
§4.3.1注意事项
§4.3.2宽MOS管的版图实现
§4.3.3螺旋电感的设计和版图实现
§4.3.4电阻的版图实现
§4.4结论
参考文献
第五章总结与展望
附录ABSIM3v3模型参数及其含义列表
附录BMOS管的SPICE模型和ADS模型格式
致谢
攻读硕士学位期间发表的学术论文
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上海交通大学;