声明
第一章 绪论
1.1 前言
1.2 相变存储器
1.2.1 相变存储器原理及现状
1.2.2 相变存储器中的CMP工艺需求
1.3 GeSbTe材料CMP工艺及其机理的研究现状
1.3.1 GeSbTe材料的CMP工艺研究
1.3.2 GeSbTe材料的CMP机理研究
1.4 课题研究意义和主要内容
第二章 实验方法及设备
2.1 GeSbTe薄膜的制备及形貌表征
2.1.1 GeSbTe薄膜的制备
2.1.2 GeSbTe薄膜表面形貌
2.2 GeSbTe材料微观磨损设备与方法
2.2.1 磨损实验探针选择
2.2.2 微观磨损实验定位及步骤
2.2.3 原子力显微镜载荷标定
2.2.4 原子力显微镜磨损实验环境装置设计及探针支架选择
2.3 腐蚀溶液制备
2.4 GeSbTe材料表面氧化层检测方法
2.5 GeSbTe材料自然氧化层腐蚀验证方法
第三章 大气环境下GeSbTe材料的微观磨损
3.1 大气环境下GeSbTe材料的微观磨损行为
3.1.1 磨损过程中参数的选定
3.1.2 不同载荷对GeSbTe材料表面磨损的影响
3.1.3 表面磨损随磨损时间的变化
3.2 大气环境下摩擦化学对GeSbTe材料磨损的影响
3.2.1 纯氮气环境下GeSbTe表面磨损行为
3.2.2 大气环境与纯氮气环境磨损深度变化对比
3.3 大气环境下GeSbTe材料的微观磨损机理
3.3.1 摩擦力对GeSbTe材料磨损的影响
3.3.2 大气环境下GeSbTe材料机械磨损机理
3.5 小结
第四章 GeSbTe相变材料在NaOH溶液中的微观损伤
4.1 GeSbTe材料在NaoH溶液中的腐蚀行为
4.1.1 GeSbTe材料表面自然氧化层的腐蚀行为
4.1.2 机械作用对GeSbTe材料表面腐蚀行为的影响
4.1.3 腐蚀时间对GeSbTe材料损伤的影响
4.2 GeSbTe材料在NaOH溶液中的磨损—腐蚀行为
4.2.1 GeSbTe材料在NaOH溶液中的磨损
4.2.2 GeSbTe材料表面损伤随腐蚀时间的变化
4.3 腐蚀损伤机理分析
4.4 小结
第五章 总结与展望
5.1 论文总结
5.2 工作展望
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的学术论文和专利
江苏大学;
