应用于纳米激光的GaAs纳米线制备工艺研究

目录

声明

第1章 绪论

1.1 引言

1.2 GaAs纳米线生长工艺以及纳米激光器发展现状

1.2.1 GaAs基纳米激光器发展现状

1.2.2 GaAs纳米线制备发展现状

1.3 本论文的研究目的及意义

1.4 本论文开展的工作

第2章 高性能GaAs纳米线制备工艺设计与表征测试

2.1 高性能GaAs纳米线制备工艺设计

2.1.1 高性能GaAs纳米线制备工艺中衬底处理工艺设计

2.1.2 高性能GaAs纳米线制备工艺中生长工艺设计

2.2 GaAs纳米线测试表征技术

2.2.1 扫描电子显微镜

2.2.2 X射线衍射（XRD）仪

2.2.3 拉曼（Raman）光谱仪

2.2.4 高分辨透射式电子显微镜（HRTEM）

2.2.5 光致发光（PL）光谱仪

2.3 本章小结

第3章 衬底前期处理对纳米线垂直度、密度提高作用研究

3.1 衬底超声处理对纳米线垂直度、密度影响研究

3.2 HF刻蚀浓度对纳米线垂直度、密度提高作用研究

3.3 自然氧化时间对纳米线垂直度、密度提高作用研究

3.4 本章小结

第4章 生长工艺参数对GaAs纳米线物性调控研究

4.1 Ga droplet形貌对纳米线密度、垂直度调控作用研究

4.2 Ⅴ/Ⅲ束流比对纳米线垂直度调控作用研究

4.3 生长温度对纳米线的形貌、物性调控作用研究

4.4 本章小结

第5章 GaAs纳米线/纳米线结构以及光学性质研究

5.1 GaAs纳米线/纳米线阵列制备及形貌表征

5.2 GaAs纳米线/纳米线阵列结构研究

5.3 GaSb纳米线/纳米线阵列光学性能研究

5.4 本章小结

第6章 论文总结与未来展望

参考文献

附录 攻读硕士学位期间发表论文与研究成果清单

致 谢