Si单晶上原位生长Graphene/SiC/Si及其结构控制

目录

声明

第1章 绪论

1.1 引言

1.2 碳化硅的结构、性质及应用

1.3碳化硅的研究现状

1.3.1 材料制备环境危险

1.3.2 生长速率低

1.4 石墨烯/碳化硅的制备与应用

1.4.1 石墨烯的结构、性质与应用

1.4.1 石墨烯的应用

1.4.2 石墨烯/碳化硅/硅薄膜的制备方法

第2章 实验与测试

2.1 碳化技术及设备

2.1.1 激光化学气相沉积的原理及优点

2.1.2 LCVD实验设备介绍

2.2 实验设计及工艺路线

2.3 测试方法及表征技术

2.3.1 X射线衍射测试分析

2.3.2 极图测试分析

2.3.3 扫描电子显微镜测试分析

2.3.4 原子力显微镜测试分析

2.3.5 拉曼光谱测试分析

2.3.6 透射电子显微镜测试分析

第3章 Ar环境中3C-SiC薄膜的外延生长

3.1 碳化温度对薄膜生长的影响

3.2 碳化时间对薄膜生长的影响

3.3 碳化温度与碳化时间对薄膜生长中孔洞的影响

3.4 本章小结

第4章 碳化生长3C-SiC薄膜上石墨烯的原位生长

4.1 碳化硅外延石墨烯生长机理

4.2 碳化硅外延法原位生长石墨烯

4.3 工艺参数对原位生长石墨烯的影响

4.4 本章小结

第5章 结论

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间发表论文、申请专利情况