第一章 绪 论
1.1 三维集成技术概述
1.2 硅通孔的发展现状
1.3 论文主要工作
第二章 硅通孔制备技术
2.1 整体制备流程
2.2 硅通孔的刻蚀
2.2.1 湿法刻蚀
2.2.2 干法刻蚀
2.3 绝缘层制备技术
2.3.1 热氧化技术
2.3.2 等离子体增强化学气相沉积
2.4 势垒层制备技术
2.4.1 磁控溅射技术
2.4.2 金属有机化合物化学气相沉积技术
2.5 导电材料填充技术
2.5.1 熔融法填充导电材料
2.5.2 电镀填充导电材料
2.6 本章小结
第三章 实验方案设计
3.1 硅通孔刻蚀方案
3.2 绝缘层制备方案
3.3 势垒层制备方案
3.4 导电材料填充方案
3.5 本章小结
第四章 硅通孔的制备
4.1 硅通孔刻蚀
4.1.1 湿法刻蚀
4.1.2 干法刻蚀
4.2 绝缘层生长
4.3 势垒层的磁控溅射
4.4 导电材料的填充
4.4.1 电镀实验
4.4.2 电镀仿真模型
4.5 本章小结
第五章 硅通孔的可靠性评价
5.1 扇贝纹对硅通孔热应力的影响
5.2 扇贝纹对硅通孔电学特性的影响
第六章 总结与展望
致谢
参考文献
附录
声明
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