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【6h】

P掺杂Ca2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算

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1 绪论

1.1密度泛函理论

1.1.1 Hohenberg-Kohn定理

1.1.2 Kohn-Sham方程

1.1.3 局域密度近似(Local Spin Density Approximation, LDA)

1.1.4 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA)

1.2贋势

1.2.1规范-守恒贋势

1.2.2 超软贋势

1.3 光学性质的理论描述

1.4第一性原理方法在Ca2Si材料研究中的应用

1.5 论文的主要研究内容

2 P 掺杂对块体Ca2Si光电特性的影响

2.1 P掺杂正交相Ca2Si理论模型及计算方法

2.1.1 P 掺杂正交相Ca2Si理论模型

2.1.2 P 掺杂正交相Ca2Si计算方法

2.2 P掺杂正交相Ca2Si计算结果与讨论

2.2.1 P 掺杂正交相Ca2Si体系优化

2.2.2 P掺杂正交相Ca2Si电子结构

2.2.3 P掺杂正交相Ca2Si的光学性质

2.3 P掺杂立方相Ca2Si理论模型及计算方法

2.3.1 P 掺杂立方相Ca2Si理论模型

2.3.2 P 掺杂立方相Ca2Si计算方法

2.4 P掺杂立方相Ca2Si计算结果与讨论

2.4.1 P 掺杂立方相Ca2Si体系优化

2.4.2 P 掺杂立方相Ca2Si电子结构

2.4.3 P 掺杂立方相Ca2Si的光学性质

2.5小结

3 缺陷对Ca2Si 光电特性的影响研究

3.1 缺陷正交相Ca2Si理论模型及计算方法

3.1.1 缺陷正交相Ca2Si理论模型

3.1.2 缺陷正交相Ca2Si计算方法

3.2 缺陷正交相Ca2Si 计算结果与讨论

3.2.1 缺陷正交相Ca2Si体系优化

3.2.2 缺陷对正交相Ca2Si 电子结构的影响

3.3点缺陷立方相Ca2Si理论模型及计算方法

3.3.1 缺陷立方相Ca2Si理论模型

3.3.2 缺陷立方相Ca2Si计算方法

3.4 缺陷立方相Ca2Si计算结果与讨论

3.4.1 缺陷立方相Ca2Si体系优化

3.4.2 缺陷对立方相Ca2Si电子结构的影响

4.5.3缺陷对立方相Ca2Si光学性质的影响

3.5小结

4各向同性应变对Ca2P0.25Si0.75光电特性的影响

4.1正交相Ca2P0.25Si0.75各向同性应变理论模型及计算方法

4.1.1理论模型

4.1.2计算方法

4.2计算结果及讨论

4.2.1 各向同性应变对正交相Ca2P0.25Si0.75电子结构的影响

4.2.2各向同性应变对正交相Ca2P0.25Si0.75光学性质的影响

4.3 立方相Ca2P0.25Si0.75各向同性应变理论模型及计算方法

4.3.1理论模型

4.3.2计算方法

4.4计算结果及讨论

4.4.1 各向同性应变对立方相Ca2P0.25Si0.75电子结构的影响

4.4.2 各向同性应变对立方相Ca2P0.25Si0.75光学性质的影响

4.5小结

5 总结与展望

5.1 总结

5.2 展望

参考文献

致谢

个人简历

攻读硕士期间主持和参与的课题

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著录项

  • 作者

    岑伟富;

  • 作者单位

    贵州民族大学;

  • 授予单位 贵州民族大学;
  • 学科 运筹学与控制论
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 杨吟野,黄成泉;
  • 年度 2015
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

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