声明
摘要
第一章 绪论
1.1 课题背景和意义
1.2 国内外研究现状
1.3 研究内容和创新点
1.4 论文整体结构
第二章 单粒子效应综述
2.1 单粒子效应分类
2.2 电荷的产生与收集
2.2.1 电荷的产生
2.2.2 电荷的收集
2.3 存储电路的抗辐照加固方法
2.4 本章小结
第三章 抗辐照SRAM存储单元设计
3.1 Quatro-10T SRAM单元
3.2 RHEQ SRAM单元设计
3.3 SRAM单元性能分析和仿真结果
3.3.1 SRAM单元面积
3.3.2 单元的操作速度
3.4 SRAM单元稳定性分析和仿真结果
3.4.1 保持静态噪声容限
3.4.2 读静态噪声容限
3.4.3 写裕度
3.5 本章小结
第四章 SRAM单元抗辐照性能分析
4.1 单元节点敏感性分析
4.1.1 Quatro-10T单元节点敏感性分析
4.1.2 RHEQ单元节点敏感性分析
4.2 RHEQ结构的版图加固方法
4.3 仿真验证
4.3.1 晶体管建模和校准
4.3.2 SRAM单元抗辐照仿真验证
4.4 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 论文总结
5.2 未来展望
参考文献
致谢
攻读学位期间取得的学术成果
安徽大学;