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余洋;
电子科技大学;
LIGBT;
机译:超结双极晶体管:一种新的硅功率器件概念,适用于中压至高压的超低损耗开关应用
机译:一种用于超结器件制造的简单技术:多侧面VDMOSFET
机译:单极开关器件的功率损耗限制:Si超结器件和宽带隙器件之间的比较
机译:模拟和RF器件性能:结VS无结超比例SOI n-MOSFET
机译:异质结半导体三极管:一种新的垂直器件。
机译:超光子器件:超光子器件中超快全光开关动力学的泵浦色选择控制(Adv。Sci。14/2020)
机译:使用深沟槽的超结功率器件的改进的结终端设计
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的分子束外延生长,表征和电子器件加工。
机译:具有超突变源极/漏极结的绝缘体上半导体(SOI)器件的制造方法
机译:具有超突变源极/漏极结的绝缘体上半导体(SOI)器件
机译:一种超结-超晶格与基体对准的半导体器件的制造方法
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