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马肖男;
杭州电子科技大学;
HEMT; GaN器件;
机译:用于高频应用的双异质结构AIGaN / GaN DG-HEMT器件的DC和RF特性的二维仿真研究
机译:用于功率开关应用的单异质结构和双异质结构GaN-HEMT器件
机译:利用异步有源钳位电路实现相移全桥变换器的研究
机译:基于具有选择性低压侧的双有源全桥变换器的超级电容器堆栈有源电压平衡电路
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:GaN基三相有源电力滤波器的设计与实现
机译:基于材料和物理尺寸的梯度Algan / GaN HEMT器件性能设计优化
机译:GaN /衬底热边界电阻对HEmT器件的影响
机译:基于SI基体的增强型基于GAN的HEMT器件及其制造方法
机译:基于GAN的HEMT器件在硅上的缓冲结构
机译:具有绝缘GaN / AlGaN缓冲层的基于III族氮化物的HEMT器件
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