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谭虎威;
山东大学;
碳化硅材料; GaN基蓝光LED; 可制造性设计; 物理特性模拟;
机译:3C-SiC / Si衬底上的InGaN / GaN多量子阱蓝光LED
机译:SiC和GaN衬底上的(Al,In)GaN半导体激光二极管的衬底模式
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:GaN(AlGaN / GaN)Si GaN衬底,SiC和SOI CMOS Hiten
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:在SiC衬底上形成的GaN基LED
机译:使用GaN衬底作为生长衬底的GaN基发光二极管和包括该衬底的发光器件
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