对含有拓扑缺陷碳纳米管电学性能的研究

摘要

碳纳米管是在1991年日本S.Iijima首次发现的.作为一种新的准一维纳米材料,由于其独特的结构和奇特的物理,化学和力学特性以及潜在的应用前景,尤其是利用它的电学性能在研制和开发纳米器件中发挥重要的作用,十几年来倍受人们的关注,因此成为国际纳米材料研究领域的前沿课题.通过大量的实验发现,在制备碳纳米管的过程中会有拓扑缺陷(5/7)产生,从而可形成各种'结',本文旨在研究含有拓扑缺陷对碳纳米管的电学性能.本文首先在紧束缚模型的基础上,利用扩展的Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型,在实空间研究了在完整的

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第一章绪论

1.1引言

1.2碳纳米管的结构及性质

1.3碳纳米管的制备

1.4碳纳米管的应用前景

1.5本文的工作和目的

第二章含有五边形-七边形拓扑缺陷对的碳纳米管的电学性能

2.1SSH哈密顿模型

2.2含有拓扑缺陷的碳纳米管的电学性能

2.2.1理论模型和计算方法

2.2.2结果分析与讨论

2.3总结

第三章碳纳米管中电子-电子相互作用对其电学性能的影响

3.1理论模型

3.2计算结果和分析

3.3总结

第四章次近邻电子跳跃对理想锯齿型碳纳米管电学性能的影响

4.1理论模型

4.2计算结果与分析

4.3总结

第五章总结与展望

5.1主要研究工作和结论

5.2有待进一步开展的研究工作

参考文献

致谢

攻读硕士期间论文发表情况