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致谢
摘要
缩略词表
1 绪论
1.1 课题背景及意义
1.2 绝缘栅双极晶体管(IGBT)简介
1.2.1 IGBT的结构与工作原理简介
1.2.2 IGBT器件的工作模式
1.2.3 NPT-IGBT与PT-IGBT
1.3 国内外IGBT发展状况
1.4 功率器件的可靠性问题
1.5 本论文的主要工作及组织结构
1.5.1 论文的主要工作
1.5.2 论文的组织结构
2 高压NPT-IGBT器件的设计
2.1 高压IGBT器件的设计方法
2.2 高压NPT-IGBT器件的元胞设计
2.2.1 NPT-IGBT元胞纵向结构的设计
2.2.2 NPT-IGBT元胞横向结构的设计
2.3 高压NPT-IGBT器件终端结构的设计
2.3.1 场限环和场板技术
2.3.2 场限环和多晶硅场板复合的终端结构设计
2.4 高压NPT-IGBT器件的工艺流程设计
2.4.1 背面集电极工艺的开发
2.4.2 NPT-IGBT整体工艺流程的设计
2.5 高压NPT-IGBT器件的版图设计
2.6 本章小结
3 高压IGBT器件新结构的研究
3.1 具有双面扩散残留层的高压IGBT结构的提出
3.1.1 国内高压IGBT生产面临的问题
3.1.2 具有双面扩散残留层的高压IGBT结构及生产工艺简介
3.1.3 N+扩散残留层对击穿电压与集电极电流的影响
3.1.4 N+扩散残留层与JFET注入的对比
3.2 带有残留层的高压沟槽栅型IGBT(DR-IGBT)
3.2.1 正面载流子存储技术存在的问题
3.2.2 DR-IGBT器件结构与生产工艺
3.2.3 与LPT CSTBT和NPT-IGBT的比较
3.2.4 N+扩散层结深及残留层厚度对DR-IGBT的影响
3.3 带有P-缓冲层的NPN管辅助快速开关IGBT(NFS-IGBT)
3.3.1 快速开关IGBT的研究
3.3.2 NFS-IGBT器件结构及分析
3.3.3 NFS-IGBT器件性能的分析
3.3.4 P-缓冲层掺杂浓度及厚度对导通压降及关断时间的影响
3.3.5 导通压降与关断时间的折衷
3.4 本章小结
4 高压NPT-IGBT的流片、封装与测试
4.1 高压NPT-IGBT的流片
4.2 高压NPT-IGBT的封装
4.3 高压NPT-IGBT的测试
4.3.1 NPT-IGBT静态参数测试
4.3.2 NPT-IGBT动态参数测试
4.4 本章小结
功率器件的可靠性研究
5.1 NLDMOS的可靠性问题
5.2 SG-NLDMOS的器件描述
5.3 SG-NLDMOS的热载流子效应研究
5.3.1 直流电压应力实验
5.3.2 利用TCAD仿真分析退化机制
5.3.3 电荷泵测试
5.3.4 SG-NLDMOS的热载流子退化机制
5.3.5 Ndd注入剂量的影响
5.3.6 改善NLDMOS热载流子效应的方法
5.4 SG-NLDMOS在关态雪崩击穿下的退化研究
5.4.1 器件在关态雪崩击穿下的退化研究方法
5.4.2 电流脉冲应力实验及TCAD仿真
5.4.3 电荷泵测试
5.4.4 SG-NLDMOS在关态雪崩击穿下的退化机制
5.4.5 Ndd注入剂量的影响
5.5 本章小结
5 总结与展望
6.1 研究成果总结
6.2 对未来工作的展望
参考文献
作者简历及在学期间所取得的科研成果