声明
致谢
摘要
1 绪论
1.1 引言
1.2 本文的主要内容与结构安排
2 硅基光功率监测方案的研究现状
2.1 锗硅光功率监测方案
2.2 双光子吸收光功率监测器
2.3 表面态吸收光功率监测器
2.4 缺陷态吸收光功率监测器
2.5 本章小结
3 缺陷态光功率监测器的电学结构设计
3.1 器件电学结构设计
3.1.1 p-i-n结设计
3.1.2 优化器件性能的设计
3.2 器件电学结构的仿真分析
3.2.1 Silvaco TCAD半导体工艺和器件仿真软件的简单介绍
3.2.2 p-i-n结的仿真分析
3.3 仿真优化
3.4 本章小结
4 硅基光电子器件的实验研究
4.1 光功率监测器响应度的实验研究
4.1.1 光电流的实验测试
4.1.2 响应度的实验测试
4.1.3 仿真与实验的对比与校正
4.2 光功率监测器损耗的实验研究
4.3 本章小结
5 工作总结与展望
5.1 工作总结
5.2 展望
参考文献
作者简历及在学期间所取得的科研成果