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PV8集成电路产品的性能分析及解决方案

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论文说明:图表目录

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第一章 绪论

1.1 PV8产品客户端失效现象

1.2 问题的可行性分析

第二章 PV8产品存在的问题

2.1 PV8集成电路的应用及模块介绍

2.2 六西格玛解决方案的介绍

2.3 6Sigma解决方案的DMAIC模型:

2.4 集成电路问题的系统解决流程

2.4.1 客户应用问题的验证(Field Failure Verification)

2.4.2 客户的声音

2.4.3 测试验证(Electronic Test)

2.4.4 失效分析(Failure Analysis)

2.4.5 改进方法

2.4.6 改进后文件的更改及客户的认可

第三章 问题的定义(Define)

3.1 客户应用问题的验证(FFV)

3.2 具体模块分析

第四章 问题的测量(Measure)

4.1 验证测试(Electronic Test)

4.1.1 测试的概述

4.1.2 测试问题的描述

4.2 测试的结果

4.2.1 测试结果的论述

第五章 问题的分析(Analyze)

5.1 失效分析的介绍

5.2 失效分析流程

5.3 失效的分析过程

第六章 问题的改进(Improve)

6.1 测试程序的改进

6.2 晶圆工艺的改进

第七章 问题的控制(Control)

7.1 8D报告介绍

7.2 8D报告

第八章 结论

参考文献

致谢

个人简历

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摘要

本论文是来源于真实的客户抱怨,并且是建立在实际生产的基础上,经过理论和实践分析,对生产中的实际问题给出了相应的解决方案。
   本文要解决的问题就是要找到PV8集成电路客户所抱怨问题的根本原因(产生原因和流出原因)。并针对结果进行相应的改进,以避免这类问题的再次发生。这里我们采用了6Sigma中DMAIC的解决流程,它行之有效的为问题找到了合理的解决方案。
   这个客户抱怨是一个非常有代表性的问题,即RAM中的地址的数据发生变化,经过失效分析,我们知道是由于RAM中的过孔缺失所导致的(即产生原因)。虽然导致过孔缺失问题出现的原因是由于晶圆制造过程中的微粒污染引起的,但最佳的解决方案还是通过测试程序上的控制,因为测试程序也没有探测到这种过孔缺失的缺陷(即流出原因)。晶圆的生产工艺十分的复杂,微粒的污染是很常见的,只是这个微粒落入了要刻蚀的区域,导致过孔刻蚀发生问题。并且这个问题没有在同样批次的产品中发现,所以只是个别问题,虽然在晶圆厂我们也采取了相应的改进措施,但要根治有这种问题的产品流入客户端还要从测试程序上下手。
   这其中失效分析起到了关键性的作用,它的成功与否直接关系到问题能否得到解决。所以要解决这个问题就要从RAM的结构入手,研究为什么测试程序没能覆盖住这种失效现象。在原程序中我们是按照逻辑地址顺序读数的,正常情况下这当然是没有问题的,但是由于物理结构上过孔有问题,我们发现只要按照逻辑顺序读数,该有问题的地址里的数据就不会发生变化,而只要是非顺序的就可以看到该地址里的数据发生变化着一现象。这一缺陷其实就是过孔问题所导致的,但由于测试程序是按照逻辑顺序读数的,所以导致这一缺陷没有被测试程序抓住。所以在新的测试程序中我们加入了一个新Pattern,即在按照逻辑顺序读数的基础上,按照列顺序再读一遍,因为这样有问题的地址前面,不是与之相连的地址,所以可以看到该地址里的数据发生了变化。
   本论文把质量改进中的6Sigma解决方案与实际生产中的电子测试,失效分析,程序改进结合起来,就生产制造领域中遇到的实际问题进行分析和改进,使问题得到最终解决。而论文中我们所加入的程序由于它巧妙的参照了原有的测试方法,只是多加入了按照列读数的新的测试项,就使问题得到了完美的解决,由于是按照原有pattern加入的新的pattern,所以对整个测试程序并没有大的影响,跟其他测试项也没有冲突,因此良品率也不会有大的波动。

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