声明
摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景与科学意义
1.2 纳米材料的研究现状
1.3 纳米材料的-陛能和特征
1.3.1 纳米材料的特殊效应
1.3.2 纳米材料特殊的特征表现
1.4 能带理论
1.4.1 布洛赫定理
1.4.2 赝势
1.4.3 能带和带隙及K点取样
1.4.4 晶体属性(导体、绝缘体、金属)
1.4.5 半导体电子论
1.6 电荷密度波(charge density wave-CDW)
1.7 研究的主要内容和研究意义
1.7.1 主要内容
1.7.2 意义
第二章 应变模型及计算方法
2.1 应变模型的建立以及对应的计算细节
2.2 计算方法
2.2.1 第一性原理计算
2.2.2 Hohenberg-Kohn定理
2.2.3 Kohn-Sham方程
2.2.4 绝热近似
2.2.5 广义梯度近似
2.4 VASP计算软件包
第三章 结果与讨论
3.1 表面局部应力对Si纳米线能带结构的调制
3.2 Ge纳米线(111)表面的局部应力
3.3 各项同性应力对单双层1T-TaS2的CDW的影响
第四章 结论与展望
一、总结
二、展望
参考文献
致谢
硕士期间发表的论文