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李欢;
电子科技大学;
横向功率器件; 介质;
机译:具有高k电介质FP终端的4H-SiC功率器件的仿真研究
机译:使用高k电介质的SOI横向功率器件的等效模型和极限
机译:绝缘体上硅上的横向双扩散金属氧化物半导体的漂移区中的薄层氧化物:一种新型器件结构,可实现可靠的高温功率晶体管
机译:基于高k电介质的SIC器件有效现场板终端的理论研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用于3D EWOD器件制造的浸涂型高电容离子凝胶电介质的研究
机译:利用新型纳米结构优化功率半导体器件以进行低损耗的概念
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:具有电流限制结构和折射率引导结构并且以横向模式振荡的高功率半导体激光器件
机译:具有电流限制结构和折射率引导结构并以横向模式振荡的高功率半导体激光器件
机译:具有电流限制结构和分度引导结构并以横向模式振荡的高功率半导体激光器件
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