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施亮;
上海交通大学;
非易失存储; 金属纳米晶; 浮栅结构; 电荷俘获存储; 电学特性; 金属薄膜; 介电常数;
机译:基于非晶La_(0.79)Sr_(0.21)MnO_3薄膜的可编程金属化单元,用于存储应用
机译:基于三角形硅纳米线阵列的非平面NiSi纳米晶浮栅存储器,用于扩展纳米晶存储比例极限
机译:在Pt / Ti / AI_2O_3 / GO /石墨烯/ SiO_2 / p-Si / Au非易失(FLASH)应用中集成用于宽存储窗口的氧化石墨烯缓冲层/石墨烯浮栅
机译:超快写入速度,长刷新时间,低功耗F-N易失性存储单元,带有堆叠式纳米晶硅膜
机译:电子设备和非晶金属薄膜的纳米层压应用。
机译:高密度Ni纳米粒子的等离子体辅助原子层沉积用于非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储
机译:高速非易失纳米机电存储器开关特性的三维数值分析
机译:金属与非晶蒸发Ge薄膜和非晶溅射si薄膜接触的研究
机译:可启动易失性存储设备,包括可启动易失性存储设备的存储模块和处理系统以及使用可启动易失性存储设备来启动处理系统的方法
机译:具有易失性存储元件的电子电路装置,例如DRAM包括易失性和非易失性存储单元,设计为单个电子模块,用于存储易失性单元的修复信息
机译:非晶半导体阈值开关易失性存储单元
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