一种基于纠错回写技术提升非易失存储器性能的方法及非易失存储器结构

摘要

本发明涉及一种基于纠错回写技术提升非易失存储器性能的方法及非易失存储器结构，非易失存储器结构主要包括接口模块、逻辑控制模块、物理地址解析模块、读写驱动及感应放大模块、NVM阵列；结构简单，性能稳定；本方法会在每次读出数据时均进行纠错，并根据错误情况将纠错后的正确数据回写至原地址位，另外本发明还会采用定期扫描数据巡检的方式，将这些比特位读出，纠错并写回；同时，本发明还对存储数据设置了报警门限，每次纠错时，如果发现纠错数据段的RBER超过了该门限，则启动内部搬移程序，将该数据段从原地址搬移到新的地址存储，从而保证了新型NVM存储数据的可靠性；实时降低新型非易失存储器介质的原始出错率，保证数据可靠性。