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第一章文献综述
1.1引言
1.2 TiSi2的研究和应用进展
1.2.1基本研究现状
1.2.2促进C49-C54 TiSi2相变的方法
1.2.3应用研究
1.3固相外延CoSi2及其在集成电路中的应用研究
1.3.1 CoSi2的基本性质
1.3.2 CoSi2外延薄膜界面结构
1.3.3 Si(100)衬底上外延方法
1.3.4 CoSi2在集成电路中应用研究
1.3.5展望
1.4 Ni的硅化物研究进展
1.5本文研究内容和结构
1.6参考文献
第二章实验方法
2.1多层薄膜固相反应制备硅化物薄膜
2.2衬底的选择和清洗处理
2.3薄膜淀积
2.4快速退火固相反应生长硅化物薄膜
2.5生成膜的测试方法和表征
2.5.1四探针测试薄层电阻
2.5.2 X射线衍射(XRD)确定生成膜的晶相
2.5.3卢瑟福背散射(RBS)技术表征和分析
2.5.4俄歇电子谱(AES)深度分析测试
2.5.5透射电子显微术和衍射(TEM/TED)
2.5.6电流—电压(Ⅰ-Ⅴ)测试
第三章NiSi薄膜热稳定性增强效应和肖特基接触特性研究
3.1引言
3.2 Ni/Pt/Si固相反应Ni(Pt)Si膜的热稳定性研究
3.2.1 Pt加入对NiSi膜的热稳定性增强效应
3.2.2 Pt对NiSi相变抑制效应的物理机制
3.3含有Pt的NiSi膜导电和结构特性研究
3.3.1 Ni/Pt/Si与Pt/Ni/Si体系生成膜薄层电阻与温度关系
3.3.2不同组分生成膜导电特性
3.3.3不同厚度膜的电学特性
3.4 Ni(Pt)Si与n-Si(111)的接触特性研究
3.4.1肖特基接触的正向特性
3.4.2肖特基接触的反向特性
3.5小结
3.6参考文献
第四章中间层调制NiSi2薄膜异质外延生长
4.1引言
4.2 Ni/Ti/Si(100)体系外延生长NiSi2薄膜研究
4.2.1 Ni/Ti/Si(100)体系的固相反应
4.2.2外延NiSi2膜表征
4.2.3中间相在外延过程中所起的作用
4.2.4 Ti作为中间层促进外延生长的物理机制
4.3 SiOx中间层促进NiSi2薄膜外延生长研究
4.4小结
4.5参考文献
第五章多层薄膜制备外延三元硅化物(Co-Ni)Si2
5.1引言
5.2 Si(100)衬底上用OME方法制备(Co-Ni)Si2外延薄膜
5.3 Co和Ni双层膜与SiO／Si(100)固相反应
5.3.1 XRD测定晶相变化
5.3.2 AES测试分析薄膜结构组分及其变化
5.3.3 RBS和TEM/TED表征薄膜的晶体结构
5.3.4讨论
5.4导电特性
5.4.1 Co/Ni/SiOx／Si(100)体系薄层电阻随退火温度的变化
5.4.2 Co/Ni/Si和Ni/Co/Si体系反应膜的导电特性
5.5 Ti覆盖的OME方法生长三元硅化物(Co-Ni)Si2
5.5.1 Ti/Ni/Co/SiOx/Si(100)体系异质外延(Co-Ni)Si2
5.5.2外延三元硅化物的晶格常数和Ni含量的关系
5.6 SiOx促进(Co-Ni)Si2外延生长的机理
5.7小结
5.8参考文献
第六章Co/W/Si(100)固相反应CoSi2外延生长
6.1引言
6.2外延CoSi2薄膜的测试表征
6.2.1 XRD测试
6.2.2 RBS测试
6.3 Co/W/Si(100)体系的快速热退火行为
6.4 W膜厚度对外延生长膜质量的影响
6.5小结
6.6参考文献
结语
有待继续探索的问题
致谢
在校期间成文目录
个人简历
复旦大学;
