Caracterización estructural y química de Siliciuros de Co-Ni preparados ablación de láser pulsado: un estudio experimental y teórico

摘要

Por medio de la técnica de depósito de láser pulsadoud(PLD), se prepararon películas delgadas de Co-udNi/p-Si depositadas sobre sustratos de Si (100). Lasudmuestras se sometieron a tratamientos térmicos enudvacío para promover la formación de siliciuros. Deudlos análisis realizados con XPS se detectaronudcorrimientos químicos para las transiciones del Co2pudy Si2p, las cuales son energías de enlace característicasudde siliciuros, en el rango de 778.3-778.6 eV yud853.2-853.6 eV, respectivamente. Por medio deudmicroscopía electrónica de alta resolución (HRTEM)udse identificaron regiones nanocristalinas de estructurasudde CoSi2, Ni2Si y NiSi2. Los resultados experimentalesudse complementan con cálculos teóricos deuddensidad de estados (DOS). Los cálculos se llevaronuda cabo utilizando la Teoría extendida de aproximaciónudde Hückel (EHT).