高密度封装用AlN/glass复合材料多层低温共烧金属化研究

摘要

该工作结合国家重点基金项目的资助,提出引入玻璃复合相和LiF烧结助剂进行AlN流延成型实现900-1000度下低温共烧的思路,和上海硅酸盐所成功获得了热导率、介电常数和介电损分别为10.3-11.1W/m·k、4.9-5.8和10<'-3>(室温下,1MHZ)的AlN/glass复合材料,该结果属国内领先,国外尚未有正式报道.试制出与AlN/glass流延材料较匹配的共烧银导体浆料,引入具有很好的实用价值弱氧共烧气氛,系统分析了共烧过程和结合机理,成功地进行了三层AlN/glass复合材料基板的低温共烧Ag布线,层厚度约0.2mm,Ag导线的分辨率可达200微米,厚度约10微米,方阻1-2毫欧姆,有效的利用了AlN高热导的优越性能,也发挥了LTCC技术的优势.结合复旦大学

目录

摘要

Abstract

引言

第一章微电子封装技术

§1-1电子封装技术简介

§1-2发展趋势

§1-3目前研究应用热点

第二章AIN陶瓷基板的电子封装应用

§2-1 AIN的优越性能

§2-2 AIN基板的生产和应用

§2-3 AIN基板的金属化的几种常见方法

§2-4 AIN基板表面氧化处理技术

第三章AIN陶瓷的高温共烧应用

§3-1共烧金属化

§3-2高温共烧W金属化

第四章AIN/玻璃复合材料的低温共烧应用——基板部分

§4-1低温共烧技术及其研究现状

§4-2烧结机理

§4-3 AIN/玻璃的系统物理、化学相容性

§4-4 AIN/玻璃复合材料致密化的影响因素

§4-5影响导热性能的主要因素

§4-6影响介电性能的主要因素

§4-7复合材料的力学性能

第五章AIN/玻璃复合材料的低温共烧应用——金属化部分

§5-1流延共烧复合材料基板概述

§5-2流延坯体、金属浆料的制备及其烧结性能

§5-3金属图形转移及烧结的前期处理

§5-4低温共烧金属化

§5-5共烧结果

第六章BGA封装热循环负载可靠性FEM初步模拟

§6-1有限元方法简介

§6-2 AIN基板与芯片的互连及热循环负载下可靠性的初步模拟

§6-3结果分析

第七章结论

参考文献

致谢

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