首页> 中文学位 >Si表面上生长的Pb岛及Si表面形态的研究
【6h】

Si表面上生长的Pb岛及Si表面形态的研究

代理获取

目录

文摘

英文文摘

第一章Pb岛的稳定高度研究

§1.1 Pb/Si(111)系统研究现状

§1.2金属在半导体表面上的电子生长模型

§1.3电子简并压强的作用

参考文献

第二章岛的大小研究

§2.1弹性力学简介

§2.2 Pb岛的大小的模型

§2.3模型的应用

§2.4岛之间的相互作用

§2.5模型的进一步的应用和研究课题

参考文献

第三章硅表面台阶结构的研究

§3.1引言

§3.2重整化群方法简介

§3.3重整化群和临界现象

§3.4 Si表面的一个模型

§3.5台阶的自发形成

§3.6 SSH模型在台阶的形成以及台阶的相互作用中的应用

参考文献

发表的论文和未发表的论文

致谢

论文独创性声明和论文使用授权声明

展开▼

摘要

人们发现在分子束外延实验中,Pb原子在Si(111)表面上可以生长出形状非常规则的Pb岛,在一些称为

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号