摘要
Abstract
第一章 引言
1.1 铁电聚合物概述
1.2 铁电性综述
1.3 极化疲劳
1.4 铁电电容存储结构及原理
1.5 半导体器件物理原理
1.5.1 MOS结构
1.5.2 功函数
1.5.3 界面结构
1.5.4 C-V曲线
1.5.5 高频C-V特性测量电路
1.6 本论文研究的内容
第二章 电容结构的样品制备及表征
2.1 铁电聚合物P(VDF-TrFE)溶液的配制
2.2 电容结构的样品制备
2.3 薄膜表征
2.3.1 P(VDF-TRFE)聚合物薄膜的AFM形貌表征
2.3.2 X射线衍射谱(XRD)
2.4 本章小结
第三章 MFeS结构的电学疲劳特性的研究
3.1 实验方法
3.1.1 实验样品制备
3.1.2 P-V电滞回线的测量
3.1.3 极化疲劳的表征
3.2 实验结果
3.3 结果与讨论
3.3.1 极化疲劳
3.3.2 P-V电滞回线中的矫顽场
3.3.3 铁电开关电流峰的减小
3.3.4 铁电薄膜的厚度
3.3.5 P-Si/Al与Al底电极的比较
3.4 本章小结
第四章 MFeOS结构的电学特性的研究
4.1 实验力法
4.1.1 实验样品制备
4.1.2 C-V回线的产生及测量
4.1.3 C-V回线中的记忆窗口和开关比
4.2 实验结果
4.2.1 样品形貌及结晶度表征
4.2.2 C-V曲线表征
4.2.3 MFeOS结构电学疲劳性能的研究
4.2.4 MFeOS结构retention性能的研究
4.3 结果与讨论
4.3.1 C-V测试参数的选择
4.3.2 MFeOS结构中的铁电膜分压讨论与计算
4.3.3 极化过程中开关比C~+的变化讨论
4.3.4 极化过程中记忆窗口的变化讨论
4.4 本章小结
五 总结与展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文
致谢
